1. FET的工作原理

晶体管以电场控制电流作为工作原理，这种晶体管被称为场效应晶体管（FET: ）。它的内部形成了 PN 结，并且有 D、S、G 三个端子。这三个端子分别被称作漏极（D）、源极（S）、栅极（G）。从图中可以看出，如果在漏极和源极之间外加电压，就会有流通电流 Id。接下来，在栅极与源极之间施加反向电压。这样，耗尽层就会扩大。同时，电流的通道（沟道）会变窄。进而，电流受到了限制。

电流 Id 被称作漏极电流。通过对栅极—源极之间的电压进行改变，能够使耗尽层的厚度发生变化，进而让漏极电流得以改变。

2.FET的种类和特点

如图所示，若沟道为 N 型半导体，这种 FET 就被称为 N 沟道 FET；若沟道为 P 型半导体，这种 FET 则被称为 P 沟道 FET。在普通晶体管中，电流是由电子和空穴来搬运的，它“具有两种极性”，故而被叫做双极性晶体管。与之相比，N 沟道 FET 是通过电子来搬运电流的，P 沟道 FET 是通过空穴来搬运电流的，所以它们也被称作单极晶体管。

普通的晶体管是电流控制型元件。而 FET 则与之相反，它是电压控制型元件。FET 具备输入阻抗高的特点，同时也具有噪声小的特点。

在图中，栅极采用的是 PN 结，所以被称作结型 FET。与之相对比，在半导体的表面制作一层绝缘性能极佳且非常薄的氧化绝缘膜（SiO₂），在这层膜之上蒸镀金属来构成栅极的场效应管，被称为 MOS 型 FET。这里的蒸镀意思是在真空中对金属进行加热，使金属熔化、蒸发后附着在半导体的表面，进而形成薄膜。MOS 是一种缩写，它的含义是金属氧化物半导体。在图中，结型 FET 的图示符号和 MOS 型 FET 的图示符号都被列了出来。