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5G时代已经到来，射频芯片市场的爆发性增长已近在眼前。龙头企业正在这片蓝海中加快布局。目前 95%的射频元件都依靠进口，这种现状预示着国产替代有着巨大的增长空间。

射频前端在无线连接中处于核心地位。5G 支持的频段数量增多了，这就使得单个移动终端射频前端的数量会增加，其价值量也会提升。所以，未来射频前端市场的增长空间是很广阔的。我们将为大家解读射频前端的代表性企业。

传统来说，一部手机能够支持打电话、发短信、提供网络服务以及运行 APP 应用。通常来讲，这样的一部手机包含五个部分：射频、基带、电源管理、外设、软件。

射频：一般是信息发送和接收的部分；

基带：一般是信息处理的部分；

电源管理：因为手机是能源有限的设备，所以电源管理十分重要，一般来说就是节电的部分。

外设：一般包括LCD，键盘，机壳等；

软件：一般包括系统、驱动、中间件、应用。


手机终端中，核心部分主要有射频芯片和基带芯片。射频芯片承担着射频收发等工作，还负责频率合成以及功率放大；基带芯片则负责信号处理与协议处理。随着通信技术持续发展，手机等移动终端对射频前端的要求在不断提升。当下，射频前端芯片主要被应用于手机和通讯模块市场、WiFi 路由器市场以及通讯基站市场等。那么射频芯片和基带芯片是什么关系？

1  
射频芯片和基带芯片的关系

射频来自英文直译，基带也来自英文直译。在射频中，最早的应用是 Radio，也就是无线广播（FM/AM）。到目前为止，这依然是射频技术乃至无线电领域最经典的应用。

基带是中心点在 0Hz 的信号，所以基带属于最基础的信号。有人将基带称作“未调制信号”，在过去，这个概念是正确的，比如 AM 就是调制信号（无需进行调制，接收后就能通过发声元器件读取内容）。

对于现代通信领域来说，基带信号一般指的是经过了数字调制的信号，其频谱中心点在 0Hz。同时，并没有确切的概念表明基带一定是模拟的或者数字的，这完全取决于具体的实现机制。

基带芯片包括调制解调器，同时也不止有调制解调器，还包含信道编解码、信源编解码以及一些信令处理。言归正传，射频芯片可被视为对最简单的基带调制信号进行上变频和下变频的器件。

所谓调制，是将需要传输的信号，依据一定的规则，调制到载波之上，接着通过无线收发器（RF Transceiver）予以发送出去的工程。而解调则是与之相反的过程。

2 
工作原理与电路分析

射频简称 RF。射频是射频电流，属于一种高频交流变化电磁波。它是 Radio Frequency 的缩写，意味着能够辐射到空间的电磁频率，频率范围在 300KHz 至 300GHz 之间。每秒变化小于 1000 次的交流电被称作低频电流，大于 10000 次的则被称为高频电流，而射频正是这样一种高频电流。高频的范围是大于 10K；射频的范围是 300K - 300G，它是高频的较高频段；微波频段的范围是 300M - 300G，它又是射频的较高频段。射频技术在无线通信领域被广泛运用，有线电视系统采用的是射频传输方式。


射频芯片是将无线电信号通信转换成特定无线电信号波形的电子元器件，它能通过天线谐振将信号发送出去，且包含功率放大器、低噪声放大器和天线开关。射频芯片架构主要由接收通道和发射通道两大部分构成。

射频电路方框图

接收电路的结构和工作原理

接收时，天线将基站发送来的电磁波转换为微弱交流电流信号。此信号经过滤波后，进行高频放大。接着，被送入中频内进行解调，从而得到接收基带信息（RXI-P、RXI-N、RXQ-P、RXQ-N）。最后，这些信息被送到逻辑音频电路进一步处理。

该电路掌握重点：1、接收电路结构；2、各元件的功能与作用；3、接收信号流程。

1.电路结构

接收电路包含天线、天线开关、滤波器、高放管（低噪声放大器）、中频集成块（接收解调器）等电路。早期的手机具备一级混频电路和二级混频电路，这样做的目的是将接收频率降低之后再进行解调，（如下图所示）。

接收电路方框图

2.各元件的功能与作用

1)、手机天线：

结构：(如下图)

手机天线分为外置天线和内置天线这两种。它是由天线座、螺线管以及塑料封套组成的。

b) 发射时会把经过功放放大后的交流电流转化成电磁波信号。

2)、天线开关：

结构：(如下图)

手机天线开关(合路器、双工滤波器)由四个电子开关构成。


作用：完成接收和发射的切换；完成 900M 信号与 1800M 信号的接收切换。

逻辑电路会根据手机的工作状态来送出不同的控制信号。这些控制信号包括 GSM-RX-EN、DCS-RX-EN、GSM-TX-EN 和 DCS-TX-EN。通过送出这些控制信号，逻辑电路能让各自的通路导通。这样一来，接收信号和发射信号就能各走其道，不会相互干扰。

手机工作时，接收和发射不能在一个时隙同时进行，也就是说接收时不能发射，发射时不能接收。所以后期的新型手机去掉了接收通路的两个开关，只留下两个发射转换开关，而接收切换任务则由高放管来完成。

3)、滤波器：

结构：手机中有高频滤波器、中频滤波器。

作用：滤除其他无用信号，得到纯正接收信号。后期新型手机都为零中频手机;因此，手机中再没有中频滤波器。

4)、高放管(高频放大管、低噪声放大器)：

结构：手机中高放管有两个：900M 高放管是三极管共发射极放大电路，1800M 高放管也是三极管共发射极放大电路。后期新型手机将高放管集成在了中频内部。

高频放大管供电图

作用：天线感应到微弱电流后，将其进行放大，以满足后级电路对信号幅度的需求。b)、完成900M/1800M接收信号切换。

原理：a)、供电：900M 高放管的基极偏压和 1800M 高放管的基极偏压共用一路，这一路偏压是由中频同时路提供的；两管的集电极偏压，是由中频 CPU 根据手机的接收状态，命令中频分两路送出的；这样做的目的是完成 900M 和 1800M 接收信号的切换。

原理：b)、滤波器将其他杂波滤除，从而得到纯正的 935M - 960M 接收信号。该信号经电容器耦合后，被送入相应的高放管进行放大，接着再经电容器耦合送入中频，以进行后一级处理。

5)、中频(射频接囗、射频信号处理器)：

结构：新型手机由接收解调器、发射调制器、发射鉴相器等电路构成；同时，还将高放管、频率合成、26M 振荡及分频电路集成在内部（如下图所示）。


作用：

a)、内部高放管把天线感应到微弱电流进行放大；

接收时，需将 935M - 960M（GSM）的接收载频信号（带有对方信息）与本振信号（不带有信息）进行解调操作，从而获得 67.707KHZ 的接收基带信息。

发射时，将经过逻辑电路处理的发射信息与本振信号进行调制，从而得到发射中频；

结合 13M 晶体和 26M 晶体来产生 13M 时钟，这里参考的是时钟电路。

根据 CPU 送来的参考信号，进而产生与手机工作信道相符合的本振信号。

3.接收信号流程

手机接收时，天线会将基站发送来的电磁波转换为微弱的交流电流信号。此信号经由天线开关接收通路，接着被送入高频滤波器，以滤除其他无用杂波，从而获得纯正的 935M - 960M（GSM）接收信号。该信号通过电容器耦合，被送入中频内部相应的高放管进行放大，然后送入解调器与本振信号（不带信息）进行解调，进而得到 67.707KHZ 的接收基带信息（RXI - P、RXI - N、RXQ - P、RXQ - N）。最后，这些信息被送到逻辑音频电路进行进一步处理。

发射电路的结构和工作原理

发射时，逻辑电路处理过的发射基带信息被调制成发射中频。TX-VCO 将发射中频信号的频率变为 890M - 915M（GSM）的频率信号。经功放放大后，天线将其转为电磁波辐射出去。

该电路掌握重点：(1)、电路结构；(2)、各元件的功能与作用；(3)、发射信号流程。

1.电路结构

发射电路是由中频内部的一些电路组成的。这些电路包括发射调制器、发射鉴相器。还有发射压控振荡器（TX-VCO）、功率放大器（功放）、功率控制器（功控）、发射互感器等。（如下图所示）

发射电路方框图
2. 各元件的功能与作用

1)、发射调制器：

结构：发射调制器在中频内部，相当于宽带网络中的MOD。

作用：发射时，将经过逻辑电路处理的发射基带信息（TXI-P、TXI-N、TXQ-P、TXQ-N）与本振信号进行调制，从而得到发射中频。

2)、发射压控振荡器(TX-VCO)：

结构：发射压控振荡器是一种电容三点式振荡电路，其输出频率可由电压控制；在生产制造过程中，它被集成为一小电路板，并且引出了五个脚。供电脚、接地脚、输出脚、控制脚以及 900M/1800M 频段切换脚。在有合适的工作电压之后，便会开始振荡，从而产生相应频率的信号。

作用：将中频内调制器所调制出的发射中频信号，转变为基站能够接收的 890M - 915M（GSM）的频率信号。

原理：基站只能接收 890M - 915M（GSM）的频率信号，这是众所周知的。中频调制器调制的中频信号，比如三星发射中频信号 135M，基站是不能接收的。所以，需要用 TX - VCO 将发射中频信号的频率变为 890M - 915M（GSM）的频率信号。

发射时，电源部分送出 3VTX 电压，让 TX-VCO 开始工作，从而产生 890M - 915M（GSM）的频率信号，该信号分两路行进：其一，进行取样并送回中频内部，与本振信号混频，产生一个与发射中频相等的发射鉴频信号，然后送入鉴相器与发射中频进行比较；其二，若 TX-VCO 振荡出的频率不符合手机的工作信道，鉴相器就会产生 1 - 4V 跳变电压（带有交流发射信息的直流电压），用以控制 TX-VCO 内部变容二极管的电容量，以达到调整频率准确性的目的。b)、送入功放经放大后由天线转为电磁波辐射出去。

从上看出：TX-VCO 产生频率，然后将其取样送回中频内部，接着产生电压来控制 TX-VCO 工作；这样刚好形成一个闭合环路，并且是控制频率相位的；所以该电路也被称为发射锁相环电路。

3)、功率放大器(功放)：

结构：目前手机的功放是双频功放，900M 功放和 1800M 功放集成在一起。这种功放分为黑胶功放和铁壳功放这两种类型。并且不同型号的功放是不能相互交换的。

作用：TX-VCO 振荡出频率信号，然后将其放大，以获得足够功率的电流，接着通过天线把电流转化为电磁波并辐射出去。

值得注意：功放放大的是发射频率信号的幅值，不能放大他的频率。

功率放大器的工作条件：

工作电压为 VCC，手机功放的供电是由电池直接给予的，其电压为 3.6V；

b)、接地端(GND)：使电流形成回路；

c) 双频功换信号（BANDSEL）的作用是：控制功放要么工作于 900M，要么工作于 1800M。

功率控制信号（PAC）的作用是控制功放的放大量，也就是控制功放的工作电流。

e)、输入信号(IN);输出信号(OUT)。

4)、发射互感器：

结构：两个线径和匝数相等的线圈相互靠近，利用互感原理组成。

作用：把功放发射功率电流取样送入功控。

原理：发射时，功放发射功率电流通过发射互感器。在其次级，会感生出与功率电流大小相同的电流。该电流经检波（高频整流）后，被送入功控。

5)、功率等级信号：

工程师在手机编程时会把接收信号分为八个等级，所谓功率等级就是这样的等级划分。每个接收等级都对应着一级发射功率，具体情况如下表所示。手机在工作过程中，CPU 会根据接收到的信号强度来判断手机与基站的距离远近，然后送出适当的发射等级信号，以此来决定功放的放大量，也就是当接收信号强时，发射信号就弱。

附功率等级表：


6)、功率控制器(功控)：

结构：为一个运算比较放大器。

作用：发射功率电流取样信号与功率等级信号进行比较，之后得到一个合适的电压信号，该电压信号用于控制功放的放大量。

原理：发射时功率电流经过发射互感器，在其次级会感生出电流。此电流经检波（高频整流）后被送入功控。同时，编程时预设的功率等级信号也被送入功控。两个信号在内部进行比较后，会产生一个电压信号，该电压信号用于控制功放的放大量，以使功放工作电流适中。这样既能省电，又能延长功放的使用寿命（功控电压高，功放功率就大）。

3.发射信号流程

发射时，逻辑电路处理过的发射基带信息（TXI-P；TXI-N；TXQ-P；TXQ-N）会被送入中频内部的发射调制器，接着与本振信号调制成发射中频。同时，对于中频信号基站不能接收的部分，需要用 TX-VCO 将发射中频信号的频率上升为 890M - 915M（GSM）的频率信号，这样基站才能接收。TX-VCO 工作之后，会产生频率信号，该信号的频率范围是 890M - 915M（GSM），此信号分两路走。

一路将样本送回中频内部，接着与本振信号混频，从而产生一个和发射中频相等的发射鉴频信号，然后把这个信号送入鉴相器，与发射中频进行比较。倘若 TX-VCO 振荡出的频率不符合手机的工作信道，那么鉴相器就会产生一个 1 至 4V 的跳变电压，以此来控制 TX-VCO 内部变容二极管的电容量，以达到调整频率的目的。

b) 二路送入功放，功放将其放大后，天线把它转化为电磁波辐射出去。为了对功放的放大量进行控制，在发射时，功率电流经过发射互感器，在其次级会感生出电流，该电流经检波（高频整流）后被送入功控；同时，在编程时预设的功率等级信号也被送入功控；这两个信号在内部进行比较后，会产生一个电压信号，这个电压信号用于控制功放的放大量，使功放的工作电流适中，这样既能节省电量，又能延长功放的使用寿命。

3 
国产射频芯片产业链现状

在射频芯片领域，市场主要被海外的巨头占据着。海外的主要公司有 Qrovo、skyworks 和 Broadcom。在国内射频芯片方面，没有公司能够独自支撑 IDM 的运营模式，主要是以 Fabless 设计类公司为主。国内企业通过设计、代工、封装等环节的协同配合，形成了“软 IDM”的运营模式。


在射频芯片设计领域，国内公司在 5G 芯片方面已取得成绩，具备一定的出货能力。射频芯片设计的门槛较高，拥有射频开发经验后，能够加快后续高级品类射频芯片的开发进程。目前，拥有射频芯片设计能力的公司包括紫光展锐、唯捷创芯、中普微、中兴通讯、雷柏科技、华虹设计、江苏钜芯、爱斯泰克等。


射频芯片市场细分及竞争格局

射频芯片器件包含功率放大器（PA）、滤波器、LNA、双工器、射频开关、天线等。其市场主要有两大类。一类是依靠半导体工艺（GaAs、GaN、CMOS 等），以 PA 和射频开关作为代表的电路芯片；另一类是依靠 MEMS 工艺，以 SAW 和 BAW 作为代表的滤波器。滤波器在射频器件总营业额中所占比例为 50%，PA 约占 30%，射频开关和 LNA 占 10%，其余部分约占 10%。
 
功率放大器（Power Amplifier）信号的发射功率和频率有关。信号从基带芯片输出后，射频前端需对不同频率的信号进行不同的功率放大处理，这样才能使这些信号通过天线发射出去。目前功率放大器市场欧美厂商主导了 95%，其中包括 Skyworks、Qorvo 和 Broadcomm 等。这三家企业共同占据了 90%以上的终端功率放大器市场份额，而相对规模较小的基站功率放大器市场未被计入在内。
 
滤波器电磁波在大气或基站间传播时会携带噪声。因此，必须过滤出手机需要的频率，这样才能被接收和使用。目前，滤波器主要分为以下几种：陶瓷滤波器、声表面波滤波器、介质滤波器等。这些滤波器在手机通信中起着重要的作用，它们能够有效地过滤掉不需要的频率，只让手机需要的频率通过，从而保证手机通信的质量和稳定性。SAW和FAW两种，前者主要应用在低频（<2GHz），后者主要应用在高频（>2GHz 频段的滤波器。新出现的 BAW 滤波器技术是 SAW 滤波器的升级。目前滤波器芯片的第一梯队由美国厂商构成，像 Broadcom、Qorvo、Skyworks 等。其中，尤其是前两者，几乎将 BAW 滤波器市场的全部市场份额给瓜分了。第二梯队是日本厂商，例如 Murata、TDK、TaiyoYuden 等，这些公司是主要的 SAW 滤波器供应厂商。第三梯队是中国企业，像好达电子等，不过它们普遍竞争力比较弱，规模也比较小。滤波器采用 MEMS 工艺，其技术门槛极高，大规模量产实现起来难度极大。然而，5G 技术的技术革命对滤波器提出了新要求，这使得国外的滤波器大厂与国内的小公司在一定程度上处于同一起跑线，这是中国公司实现弯道超车的良好机会。依据相关情况，仅实现 10%的国产替代，就能够成就一家销售额在 10 亿美元以上级别的独角兽公司。
 
低噪声放大器（LNA）：LNA 主要是用来放大接收的信号的。单独去设计 LNA 的公司数量比较少，大部分 LNA 都被集成在了滤波器或者 PA 里面。在国内，虽然有一些厂商在进行 LNA 的相关工作，但是这些厂商大多是将 LNA 应用于低端手机当中，并且不具备竞争的能力。
 
射频开关：即控制天线的开关。近年来SOI（Silicon-On-Insulator）技术在射频开关的设计方面有着越来越重要的地位。当下全球的 SOI 产业链较为完备，其中代工厂包含 ST、三星等，材料供应商有 Soitec、MEMC 等。然而，中国大陆的 SOI 产业链尚处于起始阶段，和世界先进水平相比存在着明显的差距。5G 技术下的创新载波聚合技术能把多个小频段整合为一个大频段，这使得对射频开关的特性要求变高了，而这种高要求在半导体 SOI 工艺中难以实现，所以只能转到 MEMS 工艺去制作，这对于国内半导体厂商来说是个较好的发展机会。


5G 时代到来，会给射频前端市场带来很大的空间。只有把握住新工艺和新材料等关键的升级路线，才能够享受到 5G 时代所带来的高速增长的红利。

在射频芯片代工领域，台岛成为了全球最大的化合物半导体芯片代工厂。台岛的主要代工厂有稳懋、宏捷科以及寰宇。而在国内，仅有三安光电和海威华芯开始对化合物半导体代工进行涉足。三安光电在国内布局最为完善，具备 GaAs HBT/pHEMT 和 GaNSBD/FET 工艺布局。目前，它与国内 200 多家企事业单位开展合作，有 10 多种芯片通过了性能验证，即将实现量产。海威华芯是海特高新控股的子公司，与中国电科 29 所合资，目前拥有 GaAs 0.25um PHEMT 工艺制程能力。

在射频芯片封装方面，5G 射频芯片存在以下情况：其一，频率升高使得电路中连接线对电路性能的影响更为显著，因此在封装时必须减小信号连接线的长度；其二，需要将功率放大器、低噪声放大器、开关和滤波器封装成一个模块，这样既能减小体积，又能方便下游终端厂商使用。采用 Flip-Chip、Fan-In 和 Fan-Out 封装技术是为了减小射频参数的寄生。

Flip-Chip 在进行工艺封装时，以及 Fan-In、Fan-Out 在进行工艺封装时，都不需要借助金丝键合线来进行信号连接。这样就减少了因金丝键合线而产生的寄生电效应，进而提高了芯片的射频性能。到了 5G 时代，高性能的 Flip-Chip 与 Fan-In、Fan-Out 相结合的 Sip 封装技术将会成为未来封装的发展趋势。


国内上市公司长电科技收购星科金朋后，形成了完整的 Sip 技术的封装能力。



射频芯片技术难点


射频芯片的技术难点主要是设计和工艺两点。
 
在设计领域，5G 时代会有更多的频段被投入使用，这会使得留给射频芯片的物理空间变得更小，同时也会让对射频芯片的处理能力提出更高的要求。此外，Massive MIMO 以及波束成形、载波聚合、毫米波等关键技术的发展，也会给射频芯片设计带来更高的要求。例如。PA 作为射频器件的核心，对设计团队的技术能力有极高要求，对经验积累有极高要求，对专利支撑有极高要求。其中，工程师的经验尤为重要。而且，其性能需要满足的要求越高，对研发时间积累的需求就越高，所以会对后来者形成一定的技术壁垒。
 
在工艺方面，相关厂商面临着比设计更为严峻的考验，这些考验包含晶圆制造、芯片封装、芯片测试等（如下图所示）。在工艺难点方面，晶圆制造的代表是最新的 GaN 晶圆工艺；芯片封装的代表是广泛应用的 Sip 和 Flip-chip；芯片测试对测试工程师及设备有较高要求。

 
此外，全球集成电路市场中，有 60%的市场份额是被 IDM（integrated dev）所占据的。IDM 占据了全球集成电路市场很大的一部分份额，其份额比例达到了 60%。在全球集成电路市场里，60%的市场份额属于 IDM（integrated dev）。ic一些厂商占据了多个产业链环节，如芯片设计、制造、封装、测试、销售等，像三星电子、恩智浦、英飞凌等。而当我们纵观射频器件的头部供应商时，也几乎都是 IDM 厂商，拥有自己的晶圆厂是能够在市场中领先的必要条件。在非 IDM 厂商里，目前中国大陆的企业大部分是芯片设计公司。并且，产业链中下游的工艺技术，基本上是被美国、日本和台湾的公司所掌控的。


国产射频芯片如何在5G时代寻求突破

近期，随着5G牌照的相继颁发，5G即将迎来大规模商用。
5G 即将到来，在这一大背景下，5G 的通信标准推动着持续演进的芯片市场，其中“射频前端芯片”尤为突出。然而，“射频前端”作为四大芯片领域之一，目前中国在其中所占的市场份额仅为 2%。
射频芯片是无线通信的重要部件，它可以实现信号的发射、无线传输以及接收。在 5G 时代，射频前端市场主要由两部分构成，分别是智能手机和基站。以往，通常是一个频段（或者包含邻近频段）对应着一个芯片单元，而多个频段则需要多个芯片单元。手机通信的频段（即通道）和模式增多了，同时带宽也在不断增加。如今的射频芯片需要支持十几个通道，并且要满足高带宽以及抗干扰能力强等性能要求，正因如此，其设计难度很高。目前，高端射频芯片的供应商大多在发达国家。美国商务部制裁中兴通讯的禁售产品里，就包含了高端射频芯片。
射频前端芯片的前几名中找不到中国公司，主要是美国的一些公司，比如[列举具体美国公司]等，日本公司也占一部分。而大陆加上台岛所占的比例其实只有 2%。

通信行业是一个持续演进的市场，国内射频芯片厂商在这个市场中存在很大机会。在这个过程里，国产射频厂商需要通过创新的技术来突破性能、成本和专利方面的壁垒，并且要保持持续演进的核心竞争力，这样才能够成为市场的赢家。
看了这些前沿介绍后，大家对 5G 是否期待呢？5G 时代的脚步正逐渐靠近，你准备好了吗？！
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