[知识徘徊马铃薯]上载和共享了[多晶硅晶片的生产过程简介]。该文档总共有[27]页。该文档可以免费在线阅读。如果您需要更多地了解[ 的生产过程简介]，则可以使用 的网站搜索功能，请选择适当的文档。以下文本是捕获文章中的一些文本。如果您需要获得完整的电子版本，请将此文档下载到您的设备中，以方便编辑和打印。 ：..技术创新概论与中国核心技术系列的未来硅晶片生产过程：..目录1。产业链2。on硅晶片生产过程3。半导体和硅材料4。指标（简介）：。 .1。光伏产业链“ 原材料生产” +“硅杆/硅铸币厂生产”是光伏产业链的上游； “太阳能电池制造” +“构图生产” +“光伏产品生产”是光伏产业链的中间。 “光伏发电系统”是光伏产业链的下游。 ：.. 2。 The of : - raw and → → cast → → → head and tail → and → → →硅晶片脱胶→硅晶片清洁→硅晶片检查→硅晶片包装→硅晶片储存：..... ..... .....公司用作多晶熔炉，带有单个硅的硅晶体生长材料，加热和加热和硅在高温下融化。在晶体生长过程中，通过伺服控制器控制热交换器的上升和下降，以实现晶体生长的目的。晶体生长的方向是向上的生长，热流的方向向下，硅溶液在右侧的图中显示。

在将热交换平台的热流动方向切入正方形之后，如左图所示，检测到铸锭以略微亚寿命，电阻率，杂质等。硅块的略微亚寿命。 ：..：卸下硅块的头部和尾巴。配置砂浆：砂浆用于正方形和切片：..粘胶：将硅块粘合到晶体支架上，并切成薄片：使用硅块将其切成硅切片。片剂（）：..切割后硅晶片：.. 硅晶片生产设备列表：..一目了然的是多晶硅硅晶片生产设备。主要流程使用行业中的主流设备。 raw ( , raw , , oven ) and , oven GT, ALD, Jing 多晶铸币炉多晶铸型炉多晶铸币机层晶体式铸币机 块HCT HCT，上海 Life ，杂质探测器，碳（碳（）设备是一种硅胶块检测和标记硅胶构成氧化硅含量驱动器（硅）封型氧化物（氧化物）（氧化物封面） 和尾切割机小型硅块Wuxi机器，上海 HCT，MB，日本NTC，值得切片机 钻井机，硅钻水清洁机， 硅钻机， 清洁设备：...清洁机坩埚旋转桌喷涂桌坩埚烤箱：...多晶锭炉方形切割机Wuxi刀具机器上海 机器：..小sub-sub- Sub-Life wt-In- 清洁机：.. .. .. .. .. 3。根据电导率，“半导体材料”材料可以分为：导体 - 金属等。绝缘子 - 橡胶，塑料等。半导体 - 硅，锗和其他半导体材料是具有一般电导率的导体。 。

它的独特特征是它对温度，杂质和光线等外部效应非常敏感。 ：..半导体材料的内部结构。半导体材料具有导体和绝缘体之间特性的原因部分是由于其特殊的结构。科学分析表明，硅原子以钻石结构的形式占据空间位置（晶格）。钻石结构钻石结构的布置特征是：晶格立方晶格的8个顶点有一个原子吗？晶格的6个表面的中心有一个原子？晶格的4个对角线是顶点的1/4。有一个原子：...晶体的能量带导体的传导带无法填充电子，因此可以传导电力。金属导体的电阻率约为8-6，为10〜10 ohm·m；绝缘子只有全皮带和空皮带，没有传导带，并且带很大（3-6EV），因此它不能以820的速度传导电力。绝缘体的电阻率约为10〜10 ohm米；半导体只有全皮带和空皮带，但是限制带非常小（-2EV）。全皮带中的电子可以在光，热和电能的作用下进入空皮带。 ，形成传导带。电阻率约为10〜10 ohm·m。 ：..内在的半导体和杂质半导体。纯半导体也称为固有半导体。他们指的是除原子本身以外的晶体中没有杂质原子的存在。如果将杂质纳入固有半导体以产生载体以增加半导体的电导率，则该半导体称为杂质半导体。 ：.. N型和P型半导体杂质半导体主要是电子电导率，称为N（） - 类型的半导体（硅掺杂磷和砷元素等），主要是孔电导率，并且称为P孔电导率，并且称为P （） - 型半导体（硅硼掺杂，耐甘油和其他III组元素）。

：..半导体电阻率的性能随温度的升高（称为负温度系数）而降低。痕量的杂质对半导体的电导率产生了很大的影响。光可以改变半导体的电阻率：..光生成伏效应是入射的。当光子的能量大于带隙的带宽时，光照射到非常靠近表面的PN连接处，并在PN连接处产生电动力，并且可以通过打开外部来形成电流电路。这称为光伏效应。太阳能电池由光伏效应制成。 ：..“硅材料”硅：台湾和香港被称为硅，化学元件符号Si（％）主要以二氧化硅和硅酸盐的形式存在。灰色金属光泽，熔点为1410℃，沸点2355℃，溶解在氢氟酸和硝酸的混合物中，不溶于水，硝酸和盐酸。硬度是在锗和石英之间。 ：..，：.. 4。由涉及的供体或受体杂质确定，P型多掺杂硼和N型多掺杂磷。多晶硅晶片的电导率类型必须为P型。 ：当将多晶铸币块与某些杂质（共同称为多晶中的硕士合金）混合时，以控制电阻率。电阻率控制均匀性。电阻率均匀性包括纵向均匀性，横截面均匀性和微区均匀性。 ：半导体中有两个载体：电子和孔。在P型半导体中，孔是多数载体，电子是少数载体。然后在P型半导体中，电子是少数载体。少年儿童受到外部光和电的刺激的时间，额外的电子和孔会立即重组直到消失，这是少年的儿童生活。多晶硅晶片的寿命为≥2μs。

，氧气含量：在多晶铸造过程中，由于许多外部因素，多晶铸币铸铁后的碳和氧含量无需合格，这直接影响了后续电池电池的转换效率。通常，多晶砂岩顶部的碳含量相对较高，底部高氧含量。标准控制范围为O≤，C≤。 ：..：在铸造多晶铸造的过程中，包括原材料条件，多晶炉热场材料等，它们经常带来很大的杂质。这些杂质的存在将严重影响随后的切片的影响，并且硅晶片的混合光电转化效率效率特别低，并且通常直接去除具有杂质的硅块。多晶硅块检测不需要杂质。 ：156*（8英寸）：200±：隐藏裂缝，裂缝，线标记，边缘倒塌，凹口长度，深度的要求（请参阅“ 硅检验标准”，以获取详细信息：...中国核心技术系列