光敏电阻由硫化隔或硒化隔等半导体材料制成，是一种特殊电阻器。它的工作原理依据内光电效应。光照越强，阻值越低。随着光照强度上升，电阻值会迅速降低，亮电阻值能小到 1KΩ 以下。光敏电阻对光线极为敏感，在无光照时呈高阻状态，暗电阻通常可达 1.5MΩ。随着科技的发展，光敏电阻的特殊性能将得到极为广泛的应用。

光敏电阻工作原理

光敏电阻的工作原理是以内光电效应为基础。半导体光敏材料两端装上电极引线后，将其封装在带有透明窗的管壳里，就形成了光敏电阻。为提升灵敏度，两电极常被做成梳状。用于制造光敏电阻的材料主要有金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。

通常会使用涂敷、喷涂、烧结这类方法，在绝缘衬底上制作出很薄的光敏电阻体以及梳状欧姆电极，然后接出引线，将其封装在带有透光镜的密封壳体内，这样做是为了避免受潮而影响其灵敏度。当入射光消失后，由光子激发产生的电子—空穴对会进行复合，此时光敏电阻的阻值就会恢复到原来的值。

在光敏电阻的两端金属电极加上电压后，就会有电流通过。当受到一定波长的光线照射时，电流会随着光强的增大而变大，这样就能实现光电转换。光敏电阻没有极性，它纯粹是一个电阻器件，在使用时既可以加直流电压，也可以加交流电压。半导体的导电能力是由半导体导带内载流子数目的多少所决定的。光照射到光电导体上时，若光电导体是本征半导体材料，且光辐射能量足够强，那么光导材料价带上的电子会被激发到导带上去，这样就会使导带的电子和价带的空穴增多，进而导致光导体的电导率变大。要实现能级的跃迁，入射光的能量必须要大于光导体材料的禁带宽度 Eg，也就是式中ν和λ分别表示入射光的频率和波长。

在黑暗的环境里，它的阻值处于较高状态；当有光照出现，并且光辐射能量达到足够大的程度时，光导材料禁带中的电子会被能量大于其禁带宽度ΔEg 的光子所激发，从价带越过禁带跃迁到导带，这样就使得导带的电子增多，价带的空穴也增多，电阻率随之变小。

光敏电阻工作原理图详解

上图展示的是光敏电阻原理图。光敏电阻是由硫化隔或硒化隔等半导体材料制成的特殊电阻器，其表面涂有防潮树脂，具备光电导效应。光敏电阻的工作原理是以内光电效应为基础，在半导体光敏材料的两端装上电极引线，然后将其封装在带有透明窗的管壳内，就构成了光敏电阻。为了提升灵敏度，两电极通常做成梳状。

半导体的导电能力与半导体导带内载流子数目有关。光敏电阻受光照时，价带中的电子会吸收光子能量并跃迁到导带，从而成为自由电子，同时会产生空穴。电子—空穴对的出现会使电阻率变小。光照越强，光生电子—空穴对就越多，阻值也就越低。当给光敏电阻两端加上电压后，流过光敏电阻的电流会随着光照的增大而增大。入射光消失后，电子—空穴对开始逐渐复合。随着电子—空穴对的复合，电阻逐渐恢复到原值。同时，电流也逐渐减小。

光敏电阻对光线极为敏感。在无光照的情况下，它呈高阻状态，暗电阻通常能达到 1.5MΩ。而当有光照出现时，材料中会激发出自由电子和空穴，此时其电阻值会减小。随着光照强度不断升高，电阻值会迅速降低，亮电阻值能够小到 1KΩ以下。

光敏电阻器的电阻值存在较大的离散性，即电阻会有变化且范围大且无规律。

光敏电阻器的灵敏度指的是光敏电阻器在未受光照时的电阻值（暗阻）与受到光照时的电阻值（亮阻）的相对变化值。光敏电阻的暗阻和亮阻之间的阻值之比大概为 1500：1。暗阻值越大越好。在使用时，要给它施加直流或交流偏压。MG 型光敏电阻器适用于可见光。它主要在各种自动控制电路中被使用，还可用于光电计数、光电跟踪，能用于光控电灯，也能在照相机的自动曝光中发挥作用，同时可用于彩色电视机的亮度自动控制电路等场合。